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三星

優(yōu)勢渠道三星存儲芯片，三星在閃存、DRAM、非存儲芯片、定制半導(dǎo)體等產(chǎn)品線的研究與開發(fā)中一直保持領(lǐng)先地位，而且為保持電子數(shù)碼產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者的地位不斷努力，承諾為顧客提供全球最高水平的產(chǎn)品及服務(wù)。

  • 產(chǎn)品名稱 品牌 參數(shù) 封裝 備注
  • KMFN60012B-B214 三星 8 GB eMMC 5.1 LPDDR3 1866 Mbps 221FBGA /
  • K4G80325FC-HC25000 三星 8 Gb 256M x 32 8.0 Gbps 16K / 32 ms 170FBGA /
  • K4F6E3S4HM-MGCJT00 三星 16 Gb 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4E6E304EC-EGCG 三星 16 Gb 2133 Mbps 1.8 / 1.2 / 1.2 V 178FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4AAG165WA-BCTDT00 三星 16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4AAG165WA-BCWE000 三星 16 Gb 1G x 16 3200 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G085WC-BCTD 三星 8Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G085WC-BCWE 三星 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G165WB-BCRC 三星 8Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A8G165WC-BCWE 三星 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B2G0846F-BYMA 三星 2Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G0846E-BYMA 三星 4Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 78FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BCNB000 三星 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BYMA 三星 4Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646D-BYMA 三星 4Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B2G1646F-BCNB 三星 2Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.5 V 96BGA 0 ~ 85 °C
  • K4B2G1646F-BYMA000 三星 2Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A4G165WF-BCTD000 三星 4Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2V 96FBGA 0 ~ 85 °C
  • KLMBG2JETD-B041T09 三星 eMMC 5.1 32GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
  • KLMAG1JETD-B041006 三星 eMMC 5.1 16GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C